IT之家 1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報告，隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶術(shù)持續(xù)精進，將由現(xiàn)行熱較佳的碳化硅基氮化 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu)，朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后的硅基氮化鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展，以支持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌衛(wèi)星及能手機等場景應(yīng)用。再，因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣運算能力并提供更寬廣的 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、資料傳輸率傳輸范圍，亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)境下的終端求。（磊晶，Epitaxy 是指一種用于半導體器件制造過程中，高山有晶片上長出新結(jié)晶，制成新半導體層的技術(shù)由于通訊網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不升級，從原先單純語音輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復雜物聯(lián)網(wǎng)的 5G、再至未來整合多元傳感器的 6G 網(wǎng)絡(luò)，將提供人們更加便捷的狕訊生活。6G 網(wǎng)絡(luò)無論于頻譜效率、通訊能效及數(shù)據(jù)傳輸率皆更勝 5G，且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)絡(luò)頻段與可支持非地面大蜂訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系的滲透比例。IT之家了解到，GaN 通訊元件因高頻及高功率的材料特性，合在如基站內(nèi)的功率放器 (Power Amplifier；PA) 等嚴苛的工作環(huán)境操作?，F(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)以散熱條件佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主。DIGITIMES Research 認為，未來隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善，其將漸應(yīng)用于 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低軌衛(wèi)星及能手機等終端場景?
