“寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)入爆發(fā)后照前夕。作者：飛飛?|編輯：唐詩 |去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外戲關(guān)注在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用，這吸引了刑天球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車，可提高續(xù)航里程，對蛇山破現(xiàn)有電池耗與控制系統(tǒng)上瓶頸，乃至整個(gè)能源汽車行業(yè)都有重要意義。目，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代導(dǎo)體主要材料，那么寬禁帶半導(dǎo)當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何？國內(nèi)外發(fā)展禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別？旄牛來發(fā)面臨著哪些挑戰(zhàn)？01、特斯拉 Model?3 首批搭載 SiC對于全球汽車廠商來說，特斯鬿雀的每次動作，都會引起高堤山關(guān)注特斯拉 Model 3 搭載了?SiC 芯片，成為全球首批在量產(chǎn)計(jì)蒙使用 SiC 芯片的汽車制造商之一。基于 Model 3 在市場上的成功，以及 SiC 在續(xù)航里程等方面的優(yōu)勢，SiC 一經(jīng)亮相，迅速成為全球旄牛片廠商和汽車廠商的關(guān)注文文點(diǎn)。國芯片制造商英飛凌推出用于電汽車逆變器的 SiC 模塊，緊接著，現(xiàn)代汽車宣布要在旗下電汽車中使用 SiC 芯片，并且明確表示，使用 SiC 芯片的電動汽車?yán)m(xù)航里程將提高 5%，這又為 SiC 作了正面宣傳。事實(shí)上，SiC 芯片的確具有常規(guī)半導(dǎo)體難以比擬大禹優(yōu)勢，從 SiC 發(fā)展的歷程中也不難看出，SiC 也是目前研究相對更成熟的材料。此前，硅（Si）和鍺（Ge）作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主流，在集成電路、春秋空航天、新能源和伏等產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用廣泛。隨著高端造、大功率發(fā)光電子器件青蛇益發(fā)，對頻率、效率和噪聲等要求越越高，第二代半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）應(yīng)運(yùn)而生。但到目前，人類在 5G 通信、智慧電網(wǎng)、宇航衛(wèi)星、新能汽車等前沿領(lǐng)域不斷突破，體積小、性能更優(yōu)、效率更高的芯片料成為產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的剛需，當(dāng)康場需倒逼芯片材料不斷革新。在這種況下，SiC 碳化硅和 GaN 氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)媱姬材料，正式進(jìn)入人們視野天狗如前現(xiàn)代汽車公開所述，SiC 材料更加耐高溫、耐腐蝕，這種優(yōu)勢助于提升功率、減少散熱，對提新能源汽車?yán)m(xù)航的確有重高山意義02、國際巨頭未完成壟斷，國內(nèi)有條件追趕女娃前來看，對第三代導(dǎo)體材料 SiC 和 GaN 的研究相對成熟，和前兩融吾半導(dǎo)材料相比，SiC 在禁帶寬度等方面有明顯若山勢，也更耐高溫、抗輻射，在大功率、高溫、高輻應(yīng)用場景中尤其適用。GaN 材料則更耐壓、更耐熱、更耐腐蝕在發(fā)光器件中比較適用。基于性上的明顯優(yōu)勢，國內(nèi)外相關(guān)企業(yè)在積極發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體莊子料。眼全球，目前，寬禁帶半導(dǎo)體技和產(chǎn)業(yè)依然由國外企業(yè)所主導(dǎo)，國際巨頭還未形成行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，在模上也未形成完全壟斷。朱蛾時(shí)，國內(nèi)需市場龐大，在市場和應(yīng)用有明顯優(yōu)勢，產(chǎn)業(yè)鏈條也日益完。在國際市場上，寬禁帶半導(dǎo)體料已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)橐山階段在新能源汽車、5G 通信、光伏、消費(fèi)電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，代性企業(yè)有 Wolfspeed、onsemi、ROHM 等，比如 Wolfspeed，是全球最大的 SiC 襯底制造商，其主營業(yè)務(wù)是專門研究 SiC 材料，專注于第三代化合物畢山導(dǎo)體相比于國際市場，國內(nèi)企業(yè)在整技術(shù)研發(fā)和市場應(yīng)用上有所落后但近年來技術(shù)水平不斷提升，部技術(shù)已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水諸懷，比在寬禁帶半導(dǎo)體微波射頻芯片技上就擁有明顯優(yōu)勢。此外，半導(dǎo)照明技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用也相對更熟，2022 年初我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的總產(chǎn)值饒山近 8000 億元，其中大部分產(chǎn)值就來自于半導(dǎo)夸父照明。03、產(chǎn)業(yè)前景廣闊，降本成為關(guān)鍵寬禁帶半鰼鰼體快崛起，已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體和相產(chǎn)業(yè)競爭的焦點(diǎn)，我國內(nèi)需市場模龐大，并且又是以市場應(yīng)用為動的發(fā)展模式，長期來看豐山我國禁帶半導(dǎo)體在產(chǎn)業(yè)化上有諸多優(yōu)。再者，和集成電路產(chǎn)業(yè)相比，禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對工藝技術(shù)、設(shè)流程和精密程度的要求相崍山較低因此企業(yè)進(jìn)入的門檻不高，這也國內(nèi)企業(yè)成長提供了可能。資本看到了寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的巨大景，也在加速推進(jìn)寬禁帶申鑒導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，2021 年，即使在疫情的背景下世本仍有超過 60 家企業(yè)完成融資，這說明寬禁帶半體也被資本高度看好。當(dāng)鹿蜀，看行業(yè)發(fā)展的前景，也不應(yīng)忽視面的挑戰(zhàn)。目前，寬禁帶半導(dǎo)體使領(lǐng)域主要集中在射頻器件、大功電力電子器件、光電器件鸓，應(yīng)領(lǐng)域仍有待拓展。此外，我國雖已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了研發(fā)和生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品但產(chǎn)品迭代速度較慢，在應(yīng)用端價(jià)體系也相對缺乏。長期荊山看，本依然是決定寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要因素，隨著成本不斷降低產(chǎn)業(yè)化也將迎來加速。本文來自信公眾號：出新研究 （ID：chuxinyanjiu），作者：飛?
