IT之家 1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報(bào)告，隨氮鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊技術(shù)持續(xù)精，將由現(xiàn)行熱較佳的碳硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu)，朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改后的硅基氮鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展，以支持后 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌星及智能手等場(chǎng)景應(yīng)用再者，因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊運(yùn)算能力，提供更寬廣 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、資料輸率及傳輸圍，亦有望升 GaN 通訊元件于頻及高功率境下的終端求。（磊晶Epitaxy 是指一種用于半導(dǎo)體件制造過(guò)程，在原有晶上長(zhǎng)出新結(jié)，以制成新導(dǎo)體層的技）由于通訊絡(luò)技術(shù)的不升級(jí)，從原單純語(yǔ)音傳的 2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物網(wǎng)的 5G、再至未來(lái)整多元傳感器 6G 網(wǎng)絡(luò)，將提供人更加便捷的訊生活。6G 網(wǎng)絡(luò)無(wú)論于頻譜效率、訊能效及數(shù)傳輸率等皆勝 5G，且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)頻段與可支非地面通訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系滲透比例。IT之家了解到，GaN 通訊元件因高及高功率的料特性，適在如基站內(nèi)功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等嚴(yán)苛的工作環(huán)境作?，F(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)散熱條件較的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主。DIGITIMES Research 認(rèn)為，未來(lái)隨質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問(wèn)世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善，其漸應(yīng)用于 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低軌衛(wèi)星智能手機(jī)等端場(chǎng)景?
